Bilingual edition: English is preserved and Chinese follows each unit. Terminology uses the confirmed v20260916 glossary; automated semantic review remains traceable.
中英双语版：英文原文完整保留，中文紧随对应单元；术语采用 v20260916 确认表，自动语义审校结果可追溯。

Semiconductor Band Gaps

半导体带隙
Material
材料
Energy gap (eV)
能隙（eV）
0K
300K
Si
硅
1.17
1.11
Ge
0.74
0.66
InSb
0.23
0.17
InAs
0.43
0.36
InP
1.42
1.27
GaP
2.32
2.25
GaAs
砷化镓
1.52
1.43
GaSb
0.81
0.68
CdSe
1.84
1.74
CdTe
1.61
1.44
ZnO
氧化锌
3.44
3.2
ZnS
3.91
3.6

Data from Kittel, C., Introduction to Solid State Physics, 6th Ed., New York:John Wiley, 1986, p. 185.

数据来自凯蒂尔等，《固体物理导论》（第六版），纽约：约翰·威利出版社，1986年，第185页。
Band theory of solids
固体的能带理论
Semiconductor band gaps
半导体带隙
 Index

Tables

Reference
Thornton and Rex
Ch. 12
索引表 参考 Thornton 和 Rex 第12章
 
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Semiconductor Properties: Band Gaps, Effective Masses, Dielectric Constants

半导体特性：带隙、有效质量、介电常数
Semiconductor
半导体
Energy gap (eV)
at 273 K
273 K时的能量间隙（eV）
Effective mass m*/m
有效质量 m*/m
Dielectric constant
介电体常数
Electrons
电子
Holes
空穴
Ge
0.67
0.2
0.3
16
Si
硅
1.14
0.33
0.5
12
InSb
0.16
0.013
0.6
18
InAs
0.33
0.02
0.4
14.5
InP
1.29
0.07
0.4
14
GaSb
0.67
0.047
0.5
15
GaAs
砷化镓
1.39
0.072
0.5
13
Band theory of solids
固体的能带理论
Electrons and holes
电子与空穴
 Index

Tables

Reference
Blatt
Ch. 13
索引表 参考 Blatt 第13章
 
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